ЕВОЛЮЦІЯ ТЕХНОЛОГІЇ ЕНЕРГО-НЕЗАЛЕЖНОЇ ШВИДКІСНОЇ ОПЕРАТИВНОЇ ПАМ'ЯТІ НА ОСНОВІ МАГНЕТО-РЕЗИСТИВНОЇ СТРУКТУРИ
dc.contributor.author | Юрченко, О. В. | |
dc.contributor.author | Бондаренко, Д. В. | |
dc.contributor.author | Дяченко, М. В. | |
dc.date.accessioned | 2023-04-11T13:12:35Z | |
dc.date.available | 2023-04-11T13:12:35Z | |
dc.date.issued | 2022-11-03 | |
dc.description.abstract | У тезах розглянуто еволюція технології енерго-незалежної швидкісної оперативної пам'яті на основі магнето-резистивної структури. Визначені переваги та недоліки, та розкрито поняття принципу роботи MRAM. The theses consider the evolution of energy-independent high-speed RAM technology based on a magneto-resistive structure. The advantages and disadvantages are determined, and the concept of the principle of operation of MRAM is revealed. | |
dc.identifier.citation | Юрченко О. В. Еволюція технології енерго-незалежної швидкісної оперативної пам’яті на основі магнето-резистивної структури / О. В. Юрченко, Д. В. Бондаренко, М. В. Дяченко // Наумовські читання : зб. тез доп. учасників XX Всеукр. наук.-метод. конф. здобувачів вищ. освіти та молодих вчених, присвяч. 300-річчю з дня народж. Г. С. Сковороди, Харків, 3–4 листоп. 2022 р. / Харків. нац. пед. ун-т ім. Г. С. Сковороди ; [за заг. ред. О. А. Жерновникової]. – Харків : [б. в.], 2022. – С. 328–330. | |
dc.identifier.uri | https://dspace.hnpu.edu.ua/handle/123456789/10806 | |
dc.language.iso | uk | |
dc.publisher | Харківський національний педагогічний університет імені Г. С. Сковороди | |
dc.subject | магніторезистивна пам’ять | |
dc.subject | еволюція | |
dc.subject | енергонезалежність | |
dc.subject | біт | |
dc.subject | технологія | |
dc.subject | мікропроцесори і мікроконтролери | |
dc.subject | magnetoresistive memory | |
dc.subject | evolution | |
dc.subject | non-volatile | |
dc.subject | bit | |
dc.subject | technology | |
dc.subject | microprocessors and microcontrollers | |
dc.title | ЕВОЛЮЦІЯ ТЕХНОЛОГІЇ ЕНЕРГО-НЕЗАЛЕЖНОЇ ШВИДКІСНОЇ ОПЕРАТИВНОЇ ПАМ'ЯТІ НА ОСНОВІ МАГНЕТО-РЕЗИСТИВНОЇ СТРУКТУРИ | |
dc.title.alternative | EVOLUTION OF NON-VOLATILE HIGH-SPEED RAM TECHNOLOGY BASED ON MAGNETO-RESISTIVE STRUCTURE | |
dc.type | Thesis |
Файли
Оригінальний пакет
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- Юрченко О., Бондаренко Д., Дяченко Марія Еволюція технології.pdf
- Розмір:
- 2.22 MB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
- Опис:
Ліцензійний пакет
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 9.64 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: