ЕВОЛЮЦІЯ ТЕХНОЛОГІЇ ЕНЕРГО-НЕЗАЛЕЖНОЇ ШВИДКІСНОЇ ОПЕРАТИВНОЇ ПАМ'ЯТІ НА ОСНОВІ МАГНЕТО-РЕЗИСТИВНОЇ СТРУКТУРИ
Завантаження...
Дата
2022-11-03
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тому
Видавець
Харківський національний педагогічний університет імені Г. С. Сковороди
Анотація
У тезах розглянуто еволюція технології енерго-незалежної швидкісної оперативної пам'яті на основі магнето-резистивної структури. Визначені переваги та недоліки, та розкрито поняття принципу роботи MRAM. The theses consider the evolution of energy-independent high-speed RAM technology based on a magneto-resistive structure. The advantages and disadvantages are determined, and the concept of the principle of operation of MRAM is revealed.
Опис
Ключові слова
магніторезистивна пам’ять, еволюція, енергонезалежність, біт, технологія, мікропроцесори і мікроконтролери, magnetoresistive memory, evolution, non-volatile, bit, technology, microprocessors and microcontrollers
Цитування
Юрченко О. В. Еволюція технології енерго-незалежної швидкісної оперативної пам’яті на основі магнето-резистивної структури / О. В. Юрченко, Д. В. Бондаренко, М. В. Дяченко // Наумовські читання : зб. тез доп. учасників XX Всеукр. наук.-метод. конф. здобувачів вищ. освіти та молодих вчених, присвяч. 300-річчю з дня народж. Г. С. Сковороди, Харків, 3–4 листоп. 2022 р. / Харків. нац. пед. ун-т ім. Г. С. Сковороди ; [за заг. ред. О. А. Жерновникової]. – Харків : [б. в.], 2022. – С. 328–330.