МІКРОХВИЛЬОВІ РЕЗОНАНСИ В ДІЕЛЕКТРИКАХ ЯК ЗАСІБ ПРОДОВЖЕННЯ ВИКОНАННЯ ЗАКОНУ МУРА
Завантаження...
Дата
2019-11-14
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тому
Видавець
Харківський національний педагогічний університет імені Г. С. Сковороди
Анотація
Ми звикли до того, що технічний прогрес крокує впевнено вперед, і комп’ютери мають дедалі більші обчислювальні можливості. Однак і вони мають межі. Згідно закону Мура, кожні 24 місяці кількість транзисторів на кристалі мікросхеми буде подвоюватися, проте людство досягло вже такого рівня розвитку, що його виконання скоро може стати неможливим, адже розміри елементів сягають близько 10 нм. Потрібні нові методи літографії, які матимуть більшу роздільну здатність. We are used to the fact that technological advances are steadily moving forward and computers are increasingly computing. However, they also have limits. According to Moore’s law, every 24 months the number of transistors on a chip will double but humanity has already reached a level of development that its implementation may soon become impossible since the size of the elements reaches about 10 nm. New lithography techniques are needed that will have a higher resolution.
Опис
Ключові слова
закон Мура, транзистор, літографія, резонанс, мoore’s Law, transistor, lithography, resonance
Цитування
Литвинова А. Л. Мікрохвильові резонанси в діелектриках як засіб продовження виконання закону Мура / А. Л. Литвинова, В. В. Масич // Наумовські читання [Електронний ресурс] : матеріали XVII студ. наук. конф. студ. та молод. вчених, присвяч. 80-річчю фіз.-мат. ф-ту, Харків, 14–15 листоп. 2019 р. / Харків. нац. пед. ун-т ім. Г. С. Сковороди. – Харків : [б. в.], 2019. – С. 155–157.